3位sar adc采用下图的电容阵列,电路如下图:所有电容的正端(也称为上极板)与比较器的同相端连接,比较器反相端接gnd,其工作过程进行大致分析见之前的文章《一种3位sar adc工作过程推导(二)》,下面对这个电路进行仿真验证。

3bit_adc原理图(二).png

两个参考电压\(V_{refP}\)\(V_{refN}\)\(V_{-}=0\),假设\(\frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})<V_{in}<\frac{6}{8}(V_{refP}-V_{refN})\)



仿真过程:

绘制仿真原理图,设置好参数:Vin=800 mV,VrefP=1.2V,VrefN=0 V,\(\frac{5}{8}\cdot(1.2-0)<V_{in}<\frac{6}{8}\cdot(1.2-0)\),采用理想开关switch。

下图为仿真波形图,经过4个步骤,输入电压Vin分别与\(\frac{V_{refP}-V_{refN}}{2},\frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN}),\frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})\)进行比较,所以Vplus分别为\(V_{in}-\frac{V_{refP}-V_{refN}}{2},\frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN}),\frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})\).

  • step1: \(V_{plus}=0.8 V\)
  • step2: \(V_{plus}=0.8-0.6=0.2 V\)
  • step3: \(V_{plus}=0.8-0.9=-0.1 V\)
  • step4: \(V_{plus}=0.8-0.75=0.05 V\)

3bit_adc仿真波形图


小结

  • 比较器同相输入电压Vplus的值会有负数,反相输入端为gnd,所以比较器应该采用pmos作为输入管
  • 理想开关也会有很小导通电阻,存在开关损耗,所以开关需要自举开关(自举电路)

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