主要旋磁专用术语和公式
目录：
（一）、插入损耗S21
（二）、回波损耗（反向损耗）S11
（三）、隔离度S31
（四）、驻波比 SWR
（五）、Tanδ （(它可表征能量损耗。Tanδ高，说明能量损耗高，内生热明显)）
（六）、介电常数permittivity ε´
（七）、介电损耗permit loss ε
（八）、铁磁共振线宽ΔH
（九）、饱和磁化强度4πms
（十）、高频阻抗E4991A表测ε´、ε´´
（十一）、矢量网络仪E5071B表测S21、S11、S31、SWR
（十二）、直流磁滞回线BH 仪测Bs、Br、Hc
（十三）、LCR表测μi
（一）、插入损耗S21
插入损耗
随着电子设备的不断增多, 电磁干扰(EMI)现象越来越严重。在传导干扰中, 以电源线传导干扰最为严重。抑制电源线上干扰的主要途径是使用EMI滤波器, 通常用插入损耗表征滤波器的特性。然而, 在实际使用时, 即使EMI滤波器的插入损耗设计达标,也有可能因为源阻抗和负载阻抗的变化而得不到最佳的滤波效果。
插入损耗指在传输系统的某处由于元件或器件的插入而发生的负载功率的损耗，它表示为该元件或器件插入前负载上所接收到的功率与插入后同一负载上所接收到的功率以分贝为单位的比值。
1..插入损耗是指发射机与接收机之间，插入电缆或元件产生的信号损耗，通常指衰减。插入损耗以接收信号电平的对应分贝（dB）来表示。
2..插入损耗多指功率方面的损失，衰减是指信号电压的幅度相对原信号幅度的变小。譬如对一个理想无损耗的变压器，原副理想变压器无损耗，即插入损耗为零。插入损耗的概念一般用在滤波器中，表示使用了该滤波器和没使用前信号功率的损失。
S21
S参数，也就是散射参数。是微波传输中的一个重要参数。S12为反向传输系数，也就是隔离。S21为正向传输系数，也就是增益。S11为输入反射系数，也就是输入回波损耗，S22为输出反射系数，也就是输出回波损耗。
（二）、回波损耗（反向损耗）S11
回波损耗：在高频场合,反映行波在保护设备的”过渡点”处被反射的比例. 在这一参数下可直接衡量, 保护器件与系统的涌波阻抗的匹配程度. 回波损耗：return loss。回波损耗是表示信号反射性能的参数。回波损耗说明入射功率的一部分被反射回到信号源。例如，如果注入1mW (0dBm)功率给放大器其中10%被反射(反弹32313133353236313431303231363533e58685e5aeb931333262383636)回来，回波损耗就是10dB。从数学角度看，回波损耗为-10 lg [(反射功率)/(入射功率)]。回波损耗通常在输入和输出都进行规定。 它是指在光纤连接处，后向反射光（连续不断向输入端传输的散射光)相对输入光的比率的分贝数，回波损耗愈大愈好，以减少反射光对光源和系统的影响。 通常要求反射功率尽可能小，这样就有更多的功率传送到负载
（三）、隔离度S31
隔离度就是为了尽量减少各种干扰对接收机的影响所采取的抑制干扰措施。隔离度就是为了尽量减少各种干扰对接收机的影响所采取的抑制干扰措施。通常有几种措施，最重要的就是增加空间隔离度，增加空间的距离或者避免方向上和干扰源面对面；再次就是在发射端增加滤波器或者在接收端干扰来的方向上加金属隔离网做屏蔽。
（四）、驻波比 SWR
驻波比全称为电压驻波比，又名VSWR和SWR，为英文Voltage Standing Wave Ratio的简写。指驻波波腹电压与波谷电压幅度之比，又称为驻波系数、驻波比。驻波比等于1时，表示馈线和天线的阻抗完全匹配，此时高频能量全部被天线辐射出去，没有能量的反射损耗；驻波比为无穷大时，表示全反射，能量完全没有辐射出去。
驻波比在宽带运用时频率范围很广，驻波比会随着频率而变，应使阻抗在宽范围内尽量匹配。
驻波比就是一个数值，用来表示天线和电波发射台是否匹配 ，被反射的电波在发射台输出口也可产生相当高的电压，有可能损坏发射台
（五）、Tanδ （(它可表征能量损耗。Tanδ高，说明能量损耗高，内生热明显)）
Tanδ=ε´´/ε´ (它可表征能量损耗。Tanδ高，说明能量损耗高，内生热明显)
Tanδ=1/Q
（六）、介电常数permittivity ε´
介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场（真空中）与最终介质中电场比值即为介电常数( permittivity）又称诱电率，与频率相关
介电常数是相对介电常数与真空中绝对介电常数乘积。如果有高介电常数的材料放在电场中，电场的强度会在电介质内有可观的下降。理想导体的相对介电常数为无穷大。
相对介电常数（relative permittivity），表征介质材料的介电性质或极化性质的物理参数。其值等于以预测材料为介质与以真空为介质制成的同尺寸电容器电容量之比，该值也是材料贮电能力的表征。也称为相对电容率。不同材料不同温度下的相对介电常数不同，利用这一特性可以制成不同性能规格的电容器或有关元件。
根据物质的介电常数可以判别高分子材料的极性大小。通常，相对介电常数大于3.6的物质为极性物质；相对介电常数在2.8~3.6范围内的物质为弱极性物质；相对介电常数小于2.8为非极性物质。
ε读作yiboxilong
2.其介质常数具有复数形式，实数部分称为介电常数，虚数部分称为损耗因子。通常用损耗角的正切值tanθ（损耗因子与介电常数之比）来表示材料与微波的耦合能力，损耗正切值越大，材料与微波的耦合能力就越强。
（七）、介电损耗permit loss ε
介电损耗是指电介质在交变电场中，由于消耗部分电能而使电介质本身发热的现象。原因，电介质中含有能导电的载流子，在外加电场作用下，产生导电电流，消耗掉一部分电能，转为热能。表示绝缘材料（如绝缘油料）质量的指标之一。
定义
简介
（八）、铁磁共振线宽ΔH
铁磁物质在一定的外加恒定磁场和一定频率的微波磁场中当满足共振条件时产生强烈吸收共振的现象！磁性材料中的电子自旋磁矩系统在互相垂直施加的直流磁场H0和角频率为ω的微波交变磁场h=h0e同时作用下，但`H_0\gt\gth_0`，当ω=γH0时，该磁矩系统将从交变磁场中强烈吸收能量的现象称为铁磁共振。
近年来,利用微波铁氧体材料成功研制出隔离器、电调滤波器、法拉第旋转器、环形器和相移器等微波器件。这些微波器件在雷达、电子对抗、人造卫星等方面得到广泛应用。而铁磁共振线宽,作为衡量这些器件的主要指标,其测试平台的标准化显得非常重要。现有的线宽测试系统主要有:能得到共振曲线但不能准确测量线宽值的传统教学仪器和精度高但价格昂贵的矢量网络分析仪构成的线宽测试系统,基于以上情况,研究出既用于实验教学又用于科研,性价比高的线宽测试系统具有重要意义
（九）、饱和磁化强度4πms
饱和磁化强度是铁磁性物质的一个特性。铁磁性物质在外磁场作用下磁2113化，开始时，随着外磁场强度的逐渐增加，物质的磁化强度也不断增大；当外磁场增加到一定强度以后，5261物质的磁化强度便停止增加而保持在一个稳定的数值上，这4102时物质达到了饱和磁化状态。这个稳定的磁化强度1653数值就叫做这个物质的饱和磁化强度。不同种类的铁磁性物质，饱和磁化强度的数值也不同。
饱和磁化强度Ms是永磁性材料极为重要的磁参量。永磁材料均要求Ms越高越好版。饱和磁化强度决定于组成材料的磁性原子数、原子磁矩和温度。在低温区，它遵循布洛赫权(Bloch)定律。
（十）、高频阻抗E4991A表测ε´、ε´´
高频电阻；顾名思义也就是可以在高频线路中使用的特殊抗阻。在设备中安装使用，会吸收多余功率，并且基本不产生其他感生电流，这样就在电路中保护了器件，使产品整体稳定
性及安全性得到保证。抗阻：在具有电阻、电感和电容的电路里，对电路中的电流所起的阻碍作用叫抗阻/抗阻常用Z表示，是一个复数，实际称为电阻，虚称为电抗，其中电容在电路中对
交流电所起的阻碍作用称为容抗，电感在电路中对交流所起的阻碍作用称为感抗，电容和电感在电路中对交流电引起的阻碍作用总称为电抗。阻碍的单位是欧姆
（十一）、矢量网络仪E5071B表测S21、S11、S31、SWR (S21、S11、S31、SWR上面有简称的解释)
网络分析仪是使用自身的激励信号源、信号分离装置、接收机来测量射频微波器件、电缆线、连接器、放大器等无源和有源射频器件和组件组成的微波网络特性参数的仪器
传输特性是被测件输出与输入激励的相对比值， 网络分析仪要完成该项测试，需分别得到被测件输入激励信号和输出信号信息。
（十二）、直流磁滞回线BH 仪测Bs、Br、Hc
磁滞回线，当材料磁化到饱和以后，逐渐减小外磁场，材料中对应的M或B值也随之减小，但是并不是沿着初始磁化曲线返回。并且当外部磁场减小到零时，材料仍保留一定大小的磁化强度，或磁感应强度，称为剩余磁化强度或剩余磁感应强度，用Mr 或Br表示，简称剩磁。在反方向增加磁场M或B继续减小时当反方向磁场达到一定数值时，满足M=0 B=0那么该磁场强度就称为矫顽力。书中的第11 12 页磁滞回线在第二象限的部分称为退磁曲线。由于退磁场的作用，在无外场作用下，永磁材料将第二象限上，因此退磁曲线是考察永磁材料性能的重要依据
磁化曲线和磁滞回线是磁性材料的重要特征。磁化曲线和磁滞回线反应了磁性材料的许多磁学特征，包括磁导率μ （min）、饱和磁化强度Ms剩磁Mr(Br)、矫顽力Hc 最大磁能积（BH）max
（十三）、LCR表测μi
lcr电桥，采用SMT表面贴装工艺，测量速度快，读数稳定，L是电感(Inductance), R是电阻(Resistance），C是电容(Capacitance）。 （电感测试仪，测磁导率）