《模电》重点 - 维特根斯坦
转自姚娴，侵删
推荐参考书
1、《电子技术基础模拟部分第六版》.康华光.高等教育出版社
第一章
1、Ri与Ro对电路的影响
Ri大从信号源摄取电压能力越大，Ro越小电路带负载能力越好
2、频率失真（线性失真，与输入信号有关）
| 幅度失真 | 不同f,A不同 |
| 相位失真 | 不同f,φ不同 |
非线性失真：由放大器件本身特性引起
带宽BW=fH-fL
第二章
1、满足虚短虚断的条件：深度负反馈
2、理想运放
①v+=vom,v-=-vom
②开环电压增益Avo→∞
③理想运放ri→∞
④ro→∞
⑤BW→∞
第三章
①
| N型半导体 | 多子：自由电子 | 少子：空穴 |
| P型半导体 | 多子：空穴 | 少子：自由电子 |
②多子与掺杂浓度有关
少子与温度有关
③PN结的基本特性
漂移运动：电场引起
扩散运动：浓度差引起
加正向电压：削弱内电场→耗尽层变宽，扩散运动>漂移运动→扩散正向电流IF
加反向电压：增强内电场→耗尽层变宽→漂移运动>扩散运动→少子漂移形成反向电流IR（与温度有关）
④PN结等效扩散电容CD,势垒电容CB
⑤二级管的分析：理想模型、恒压降模型
分析方法：将二极管断开，计算两端电压
第四章：场效应管
1、工作区域的判断
①N沟道
| 饱和区 | VGS>VTN,VDS>VGS-VTN |
| 可变电阻区 | VGS>VTN,VDS<VGS-VTN |
| 截止区 | VGS<VTN |
计算公式：
恒流区：iD=Kn（VGS-VTN）2 ;rds=1/(λiD);gm=2Kn（VGS-VTN）
可变电阻区：iD=Kn【2（vGS-VTN）vDS-VDS2】
②P沟道
| 饱和区 | VGS<VTN,VDS<VGS-VTN |
| 可变电阻区 | VGS<VTN,VDS>VGS-VTN |
| 截止区 | VGS>VTN |
N沟道与P沟道公式相同，只是若以流入栅极方向为正，则P沟道iD前需加-
| N沟道 | P沟道 |
2、转移特性曲线的对比
| N增强 | N耗尽 | JFET |
| P增强 | P耗尽 | JFET |
3、放大信号的本质
iD=gm·Vgs
电压控制的电流源
第五章
1、放大信号的本质
ic=βib
电流控制的电流源
2、三个区域工作条件
| 放大区 | 发射正（>0.7），集电反 |
| 饱和区 | 发射正，集电正 |
| 截止区 | 发射<0.7，集电反 |
3、失真
Q过高：饱和失真
Q过低：截止失真
N型管
| 截止失真 | 饱和失真 |
P型管
| 截止失真 | 饱和失真 |
4、射极偏置电路
如何稳定Q点：基极分压与射极电阻Re负反馈控制
IBQ小：T↑→ICQ↑→VE↑→VBE↓→ICQ↓
第六章
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RC高通电路 |
RC低通电路 | |
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| 幅频响应曲线 | |
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| 相频响应曲线 | |
③影响管子频率响应的因素
耦合电容、旁路电容：影响管子低频特性
结电容：影响管子高频特性
④增益带宽积=增益*带宽=定值
第八章
1、反馈系数F=xF/xo
2、反馈深度1+AF 开环增益A=xo/xid
①
（1+AF）>1时，负反馈
（1+AF）>>1时，深度负反馈。闭环增益Af=1/F,虚短虚断→负反馈放大电路的闭环增益或闭环电压增益
②|1+AF|<1时，正反馈
③|1+AF|=0，自激振荡
| 电压串联 | 电压并联 |
| Avf | Avf |
| 电流串联 | 电流并联 |
| Agf | Aif |
Af=1/F,深度负反馈
输入电阻、输出电阻的影响
电压：减小输出电阻 串联：提高输入电阻
电流：增大输出电阻 并联：减小数输入电阻
第九章
乙类双电源互补对称电路
①消除交越失真
②
| 输出功率 |
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| 直流电源供给功率 | |
| 效率 | η=78.5% |
| （单）管耗 |
③功率管的选择
| 最大管耗 | 0.2Pom |
| 最大反向电流 | VCC/RL |
| 最大反向电压 | 2VCC |
单电源时，所有VCC改成1/2·VCC
第十章
1、判断高通、低通、带阻、带通
| 高通 |
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低通 |
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| 带通 |
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fL<fH
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| 带阻 | |
fL>fH |
2、
| 一阶有源滤波电路频带外衰减速率 | -20dB/十倍频 |
| 二阶 | -40dB/十倍频
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| 三阶 | -60dB/十倍频 |
第十一章
1、整流滤波、稳压电路
调整管、基准电压