MOSFET驱动
MOS管导通特性
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地的情况（低端驱动），
只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适用于源极接VCC时的情况（高端驱动），
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少
等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS.
MOS管驱动：
跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，
就可以了，这个很容易做到，但是我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管驱动，实际上就是
对电容的充放电，对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成
短路，所以瞬间电流会比较大，选择/设计MOS管驱动时，第一要注意的是可提供瞬间短路
电流的大小。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要栅极电压大于源极电压，而高端
驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压VCC相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或
10V，如果在同一个系统中，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了，很多马达
驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动
MOS管。
上边说的4V和10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要一定的余量，而且电压越高
，导通速度越快，导通的电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，
但是12V的汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。
MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs
MOSFET在数字技术应用和功率应用上的普及和发展得益于它的两个优点
（1）在高频开关应用中MOSFET使用比较方便，MOSFET更加容易被驱动，这是因为它的控制极
和电流传导区是隔离开的，因此不需要一个持续的电流来控制。一旦MOSFET导通后，它的驱动
电流几乎为零。
（2）在MOSFET中，控制电荷的积累和留存时间也大大的减少了，这基本解决了设计中
导通电压降（和多余的控制电荷成反比）和关断时间之间的矛盾。因此，MOSFET技术以其
更加简单的，高效的驱动电路使他比晶体管设备具有更大的经济效益。
有必要突出强调，尤其是在电源应用上，MOSFET本身具有阻抗特性，MOSFET源端的电压降
和流经半导体的电流成线性关系。这种线性关系，以MOSFET的Rds表现出来，即导通阻抗。
对一个给定的栅源电压和温度的器件，其导通阻抗是恒定的。