Buck-Boost电路中,最低电压为其最恶劣情况

以下图为例:

注:1、Np为初级绕组匝数,Ns为次级绕组匝数;

2、Vmos为MOS最大耐压值,1为整流管压降,Vl为漏,Vl=100V,Vmos选取遵循的原则:开关关断瞬间,加在MOS上电压值为Vmos的25%(或30V)时,应留有50V的裕度。 

若电路处于CCM模式,取频率为f

1、确定初/次级匝数比

∵Vmos=Vinmax+(Np/Ns) (Vo+1)+Vl

∴初/次级匝数比n=Np/Ns=(Vmos-Vinmax-80-100)/(Vo+1);

2、保证磁芯不饱和且始终工作在CCM模式

由伏秒平衡知(Vinmin-1)ton=(Vo+1) *toff  —①(设MOS、整流管正向导通压降为1V)

为保证电路工作于CCM模式,应使ton+toff=T  ———–②

故联立①②得tonmax={(Vo+1)*(Np/Ns)*T}/{(Vinmin-1)+(Vo+1)*(Np/Ns)};

3、 初级电感确定

∵Pout= ηPin,Pout=Vo*Icps*(toff/T),Pin=Vinmin*Icpr*(tonmax/T);

(Icpr:初级电流上升斜坡中间值,Icps:次级电流下降斜坡中间值)

∴Icpr=(Po*T)/(η*Vinmin*tonmax)

∵Icpr=dIp/2

∴Lp= =(Vinmin-1)*tonmax/dIp=(Vinmin-1)*tonmax/(2*Icpr)

4、初/次级匝数确定

Np=(Lp*Ip)/(ΔB*Ae)

Ns=Np/n

5、  初/次级电流有效值确定 

Irms(初级)=(Ip/√3)*(√(Ton/T))

Irms(次级)=Ip*(Np/Ns)*(√(Toff/T))/(√3)

若电路处于DCM模式,取频率为f

1、确定初/次级匝数比

∴初/次级匝数比

2、保证磁芯不饱和且始终工作在CCM模式

由伏秒平衡知(Vinmin-1)ton=(Vo+1) *toff  —①(设MOS、整流管正向导通压降为1V)

为保证电路工作于DCM模式,应使ton+toff=T  ———–②

故联立①②得

3、 初级电感确定

4、初/次级匝数确定

5、  初/次级电流有效值确定 

 

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