张飞第一部：电阻 电容 稳压管 三极管 DC-DC 全桥整流电路 --门控开关项目
测试标准：双85 （85°温度，85°湿度） 如隔离 寿命7-15年
二极管导通压降0.7V
1.全桥整流电路 KBJ401 （4：额定电压4A 01:二极管反向耐压100V 005:50V）
全桥整流电路Vout=√2·Vin。 即V2-4=1.414V1-3. V2-4为2,4脚之间电压。
2.LM7815降压稳压器 78系列 15：15V输出
LM7805降压稳压器 78系列 05：5V输出
3.电阻选型： 限流-5% 分压-1%
关键参数： 阻值 精度 材质 功率P=U2/R（0805 功率1/8W）
4.电容选型
104指 10*10^4pF=100nF=0.1uF
C=Q/V。都要充到10V，C越大，Q越大，充电时间越长。C越大，滤除纹波效果越好（大电容通低频，大低小高）。
可以把电容看做一个圆柱形容器，电荷Q为体积，C为底面积，V为高度。充电就是往里面加水，放电就是排水。
电容容值计算C=Iout/（△V*f）！，实际应用容量会增大到计算值的5-10倍，额定电压一般1.5-2倍；一般容值>=4.7uF，我们就选用电解电容，因为它容值比较大，电解电容一般用作储能和滤低频，小容量一般用贴片瓷介电容，滤高频，几pf-几百nf，有容量小，精度高的特点，可吸收尖峰电压,Iout为输出电流，△V为电容两端 电压差，f为充电频率。
高di/dt: 浪涌电流
高dv/dt: 尖峰电压
容抗：Xc=1/2πfc
1A以下，一般220uF电解电容够了。
例：纹波0.9V，充电频率54KHz，输出电流100mA,那么C多大？
答：C=0.1/(0.9*54*1000)=2.1uF. 充放电周期越大，C越大。
电容充电电压：V=Vin*(1-e^(-t/τ)); 充电常数τ=RC。
充电电流：I=Vin/R*(1-e^(-t/τ))
电压源：提供恒定电压。
电流源：提供恒定电流。
因为电流源要提供恒定电流，即使不用家用电器也有损耗，故电网是用电压源（不用电器0损耗）。
DC-DC：价格贵，复杂，效率高75%。常见：+3.3V +5V +12V +15V
LDO：简单，只能做小功率
AC220V, AC24V, AC16V, AC14V
DC-DC芯片：LM7805 额定电流1A
LM78L05 额定电流0.5A
图中回路已知I=10mA,那么LM7805功率P=IU=0.01*(24-5)=0.19W. LM7905功率不要超过1W，不然发烫严重。如果需要降压很大，可以前面加一个LM7815中间级。
5.稳压管 ZENER 常见3V 4.3V 5.1V 5.6V 8.3V 12V 13V 18V 27V 30V 50V
反相放置，当反向电流>2mA时，稳压管两端产生一个稳定电压
常见二极管：1N4148，反向耐压75V，melf封装（类似1206，玻璃管子），最大工作电流150mA
6.三极管（电流控制电流）常见：S9013,S8050,2N3904
NPN ：P管
PNP : N管
1. Ic=βIb=100Ib。（一般放大倍数为100左右）
2.Ibe>=1mA时，Rce约=0。
Vce约=0.3V。
3.Ibe>=1mA时，Vbe约=0.7V
4.只有当Vbe>=0.7V,Ice才完全导通，Ice趋于∞，Rce约=0，Vce约=0.3V。
Vbe<0.7V，Ice不完全导通，Rce存在，Vce压降存在
开关条件：Ibe>=1mA，完全导通条件：Vbe>=0.7V
最终电路：
稳压管钳位电压5.6V，故R1压降为18.4V，此时流过R1和稳压管的电流为4mA。因为三极管B级为5.6V，三极管导通，Ice近似短路，故Ve被拉到24V，高于B级电压，三极管又截止，然后又导通，又截止。。。。周而复始，相当于形成PWM波，然后电压有效值为5V（因为三极管Vbe压降0.7V）。
三极管功耗：Vce=19V，假设负载电流为0.01A，故P=UI=0.19W。
三极管TO-92封装额定功率0.625W。 故这里用TO-23，因为要一定余量.
TO-23封装额定功率0.25W。
优先使用分立器件做电路！！因为集成电路贵。